据媒体报道，长鑫存储（CXMT）总裁曹干宇近日表示，公司预计在今年年底前推出首款基于4F²技术的服务器用DDR5 RDIMM内存。该产品采用更密集的单元布局，通过垂直晶体管结构，理论上可将单元占地面积缩减约三分之一。目前，官方尚未披露新产品的具体速度、容量及工艺节点等参数。
技术路径与专利布局
曹干宇在“集成芯片与芯粒大会”上介绍，4F²单元尺寸为2F×2F，在相同特征尺寸下，面积仅为当前主流6F²单元的约三分之二。长鑫存储采用垂直环绕栅极（VSG）晶体管，沟道垂直排列且栅极包裹其中，从而增强栅极控制能力并降低漏电流。这种“立式”晶体管设计是缩小单元尺寸的关键。
据悉，长鑫存储已围绕该技术申请多项专利，拥有超过300个已出版的4F²相关专利家族，并在IEDM 2023会议上展示了8Gb全阵列研究样片。相关研究成果曾发表于2021年、2023年及2025年。行业正朝着解耦DRAM与CMOS工艺、结合晶圆级混合键合技术的3D解决方案演进，以实现逻辑电路与单元密度的独立优化。曹干宇还提及，公司自2019年起已开展混合键合相关工作。
市场地位与竞品动态
随着制造能力与市场份额的提升，长鑫存储备受业界关注。TrendForce数据显示，今年第二季度长鑫存储占全球DRAM收入份额达9.5%，较第一季度的7.6%显著增长，位居全球第四。此前，其第五代G5 DRAM技术平台已于9月20日宣布进入量产阶段。去年11月，长鑫存储曾展示DDR5-8000和LPDDR5X-10667产品，彰显其技术实力。
在国际竞争方面，三星曾在ISSCC 2026论文中展示一款16Gb、10nm级别的4F² DRAM设计，采用垂直沟道晶体管（VCT）及晶圆对晶圆混合铜键合技术，声称可使每晶圆芯片数量增加20%以上。尽管早期报道指向2028年量产，但后续韩国媒体消息称其VCT版本计划尚不明确。SK海力士则在VLSI 2025大会上规划了10nm及以下节点的4F²垂直栅极平台，首发定位于10b节点。美光的相关计划则相对模糊，暂无明确的2026年公开声明。
前景与挑战
此次公告未提及容量、速度、芯片密度、指定客户或预期产量等关键细节，且长鑫存储中英文新闻室均未发布正式通告。目前仅有理论设计与演讲披露，尚无外部机构测试过的实际产品。韩媒指出，长鑫存储初期产品可能仅部分应用4F²技术，大规模生产的稳定良率仍是主要挑战。距离年底仅剩约11周，市场正密切关注其最终交付成果。