与那些推动股市上涨、估值惊人的高端GPU不同，负责让路由器记住运行指令的存储芯片体积小、技术成熟且历来价格低廉。然而，受AI繁荣引发的全面内存危机波及，这些常被忽视的芯片价格正急剧飙升。
尽管公众目光聚焦于昂贵的AI加速器，但DRAM和高容量NAND闪存正被快速扩张的数据中心吞噬，进而挤压了其他存储芯片的生存空间。据摩根士丹利6月报告，过去一年内存价格上涨超过六倍，打破了多年来随产量增加而价格稳步下降的历史趋势。
危机已蔓延至更古老的存储形式，包括NOR闪存和单层单元（SLC）NAND。摩根士丹利预计NOR闪存供应短缺将持续至2026年；摩根大通则警告，其预测尚未完全反映SLC NAND潜在的供应紧张。TrendForce数据显示，2026年上半年NOR闪存和SLC NAND合同价格均上涨超过100%，并预计下半年SLC NAND价格将在上半年基础上再涨120%至170%。
产能挤兑与经济性困境
NOR闪存常用于存储启动代码，是汽车、工业和网络设备的核心组件；SLC NAND则因高可靠性广泛应用于长寿命嵌入式硬件。然而，这两个市场规模较小——Objective Analysis分析师Jim Handy指出，SLC NAND年市场规模不足10亿美元——导致新投资动力严重不足。
Handy表示，这是一种纯粹的经济现象。随着英伟达、博通和Marvell等公司竞相投入巨资构建AI基础设施，高利润客户优先占据了晶圆产能。“它们吸走了所有的晶圆，”Handy称，导致生产NOR和SLC的公司难以获得晶圆，被迫提价。
NAND市场的情况更为严峻。TrendForce研究经理Bryan Ao指出，美光、铠侠和SK海力士等主要制造商正在削减SLC产能，转而生产新一代高利润NAND技术。Ao估算，一块12英寸晶圆用于主流NAND可产生近2万美元收入，而用于SLC仅能产生6000至8000美元。此外，半导体制造设备交货期已延长至12到15个月，使得中小供应商无法迅速扩产，造成“严重供应不足”。
高价常态与结构性短缺
法国巴黎银行预测，2026年NAND平均价格将达到每太字节279.50美元，远高于2025年的73.10美元。摩根大通预计内存短缺至少持续两年，客户订单满足率仅为70%至80%。制造商正将产能转向高价值产品，成熟工艺受到挤压。
目前替代方案有限。虽然铠侠提出串行SLC NAND可作为NOR闪存的替代品，但迁移需要额外的工程工作和认证。由于市场需求规模不足以支撑数十亿美元的新建工厂投资，行业陷入陷阱：需求超过了不断缩小的供应，却又不足以证明扩产的合理性。
硬件制造商面临两难：要么吸收成本降低利润率，要么将成本转嫁给消费者。Handy指出：“我们要么接受较低的利润率，要么必须提高对消费者的售价。”
短期无解的长期博弈
这一问题短期内似乎无解。Ao预计未来五年内存价格将保持高位，难以回到2023或2024年的水平。TrendForce也指出，目前针对NOR闪存或SLC NAND没有重大产能扩张计划。
Handy认为，只要超大规模企业间的支出竞赛继续，问题就将持续。他将此比作20世纪90年代末的互联网基础设施热潮，暗示支出可能会超出市场经济承载能力，而非通过产能平衡来解决。“我预期这里会发生类似的事情，我们有太多人在AI上花费了过多的金钱，却还没有看到任何回报。”他说。
在此之前，这些最不起眼的存储芯片将成为最难更换的部件。正如Ao所言：“无论如何，我们都必须习惯这种高价格，无论哪个内存细分市场。”