受人工智能需求激增推动，内存价格已创历史新高，且短期内难有回落迹象。机构分析显示，若按单位面积计算，DRAM的价值甚至可能超过采用台积电N2和N3工艺制造的逻辑芯片硅片成本。不过，这一比较存在特定的前提条件。
据媒体报道，分析机构估算，台积电N3工艺300毫米晶圆成本约为2万美元，折合每平方毫米约0.283美元；N2工艺晶圆价格假设高达3万美元，即每平方毫米约0.424美元。需注意的是，上述计算基于非官方信息，未计入晶圆边缘损耗、切割、测试结构、缺陷及良率等因素，仅反映名义上的硅片面积价格，而非实际可用芯片成本。
相比之下，DRAM的计算逻辑有所不同。分析假设DRAM价格为每Gb 1.50美元，并结合不同代际产品的位密度进行推算：1y代DRAM（密度0.219 Gb/mm²）单位面积价值约0.329美元；1z代（密度0.273 Gb/mm²）达0.410美元；而1b代DRAM（密度0.436 Gb/mm²）则高达0.654美元，显著超出N2晶圆的名义价格。
本质差异：代工收费 vs 销售价值
两者存在根本区别：N2和N3数据代表台积电的假设加工收费，而DRAM数据反映的是每平方毫米硅片内所含内存的理论销售价值，即制造商在特定价格下能从给定面积中获得的理论收入。
值得注意的是，每Gb 1.50美元的假设与当前DDR5 eTT内存现货价格高度吻合。数据显示，9月21日16Gb DDR5 eTT芯片平均成交价约为24.80美元，折合每Gb 1.55美元。在此价格下，1b代DRAM单位面积价值约为0.676美元，仅比估算值高出3%。
尽管生产DDR5的成本远低于台积电N3工艺逻辑芯片，但受供应短缺影响，内存厂商从硅片中获取的收益已远超历史水平。
比较局限与合同价迷雾
然而，直接对比存在诸多局限。首先，计算未包含封装成本，而逻辑芯片通常需更昂贵的封装技术；其次，台积电采用代工模式，最终价格受产量、客户及商业条款影响，与DRAM现货价格并非完全对等。此外，现货交易零星且有限，未必能反映三星、SK海力士和美光等巨头的批量出货实价。
因此，合同DRAM价格才是更具经济意义的比较基准。尽管合同价显然高于历史水平，但具体数值未公开，且可能低于现货价格。鉴于此，目前尚无法断定内存厂商从晶圆中获得的实际收益确实高于台积电的逻辑晶圆收益。